Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 DSC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 3,59

(ohne MwSt.)

€ 4,31

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3 600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 3,59
10 - 24€ 3,41
25 - 49€ 3,34
50 - 99€ 3,12
100 +€ 2,87

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-9293
Herst. Teile-Nr.:
BSC040N10NS5SCATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6 DSC

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET Infineon BSC040N10NS5SCATMA1 verwendet die neueste OptiMOSTM 5-Technologie in einem SuperSO8-Gehäuse mit freiliegendem Clip für beidseitige Kühlung. Die niedrige Rthjc-Oberfläche führt zu einer verbesserten Wärmeableitung. Mit einem niedrigen RDS(on) trägt diese Familie zu Designs mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte in Anwendungen wie Telekommunikation, Servern und Antrieben bei.

Reduzierter Wärmewiderstand im Vergleich zu Standard-SuperSO8-Gehäuse

Niedriger RDS(on)

Thermische Leistungsfähigkeit von 175 °C

Geeignet für Standard-SuperSO8-Abmessungen

Neueste OptiMOSTM 5-Technologie

Drop-in-Ersatz in Designs mit SuperSO8-Gehäuse

Geringe Leitungs- und Schaltverluste

Verwandte Links