Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 44 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
235-0604
Herst. Teile-Nr.:
BSC0803LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

5.49mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOSTM5-Leistungstransistor arbeitet mit 100 V und einem Ablassstrom von 4 A. Das OptiMOSTM5-Portfolio von Infineon richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Die Produkte bieten schnelle Aufwärtsregler und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOSTM-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer BOM-Kostenreduzierung führt. OptiMOSTM PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Optimiert für leistungsstarke SMPS

100 % Avalanche-geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

N-Kanal, Logikpegel

Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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