Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 80 A, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7742
Herst. Teile-Nr.:
BSC050N03LSGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS 3 Power-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie einen niedrigen Durchlasswiderstand in einem kompakten Gehäuse. Damit ist er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen.

Geringster Durchlasswiderstand in Gehäusen mit kleiner Grundfläche

Einfaches Design

Spart Kosten

Spart Platz

Reduziert Leistungsverluste

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