Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 273-2631
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0902NSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 350μm | |
| Breite | 5.35mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 350μm | ||
Breite 5.35mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC0902NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert wird. Er wurde entwickelt, um hohe Ströme bei niedrigen Spannungen zu schalten und zu steuern, während er in einem breiten Umgebungsbereich arbeitet. Das Gerät eignet sich für Anwendungen, die einen logischen Gate-Treiber und eine kompakte Grundfläche erfordern, und erfüllt die RoHS-Umweltstandards.
Merkmale und Vorteile:
• 2.6 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• 4,5-V-Maximal-Gate-Treiber ermöglicht Schaltungen auf Logikpegel-Niederspannung
• Die kontinuierliche Ablasskapazität von 100 A unterstützt hohe Stromlasten
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet eine hohe Leistung bei anspruchsvollen Temperaturen
• TDSON-Oberflächengehäuse ermöglicht kompakte Leistungsdichte auf Board-Ebene
• 4,5-V-Maximal-Gate-Treiber ermöglicht Schaltungen auf Logikpegel-Niederspannung
• Die kontinuierliche Ablasskapazität von 100 A unterstützt hohe Stromlasten
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet eine hohe Leistung bei anspruchsvollen Temperaturen
• TDSON-Oberflächengehäuse ermöglicht kompakte Leistungsdichte auf Board-Ebene
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Gleichstromverteilung in Niederspannungsanlagen
• Ideal für Motortreiber, die ein Hochstromschalten erfordern
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in kompakten Baugruppen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
• Nützlich in Hochstromlastschaltmodulen auf Board-Ebene
• Ideal für Motortreiber, die ein Hochstromschalten erfordern
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in kompakten Baugruppen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
• Nützlich in Hochstromlastschaltmodulen auf Board-Ebene
Welcher Gate-Spannungsbereich sollte für einen zuverlässigen Betrieb beachtet werden?
Der Gate-Antrieb sollte die angegebene maximale Spannung von 4,5 V nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement auf der Leiterplatte aus?
Das 8-polige TDSON-Oberflächengehäuse bietet einen kompakten Wärmepfad, der eine geeignete Kupferfläche zur Wärmeableitung erfordert.
Ist dieses Gerät für Kfz-Qualifizierungs-Workflows geeignet?
Das Gerät erfüllt trotz seiner breiten Temperaturbeständigkeit nicht die Automobilstandards.
Welchen Kanal-Leitungsmodus nutzt das Gerät?
Er arbeitet im Enhancement-Modus als N-Kanal-Transistor.
Welche Umweltkonformität erfüllt er?
Er erfüllt die RoHS-Beschränkungen für gefährliche Stoffe.