Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
241-9699
Herst. Teile-Nr.:
BSZ018NE2LSIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert ist. Er wurde zu 100 % Avalanche geprüft.

Monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode,

halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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