Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 241-9696
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*
€ 2.590,00
(ohne MwSt.)
€ 3.110,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | € 0,518 | € 2.590,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9696
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Kabelbeschichtung. Er ist für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand,
qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ P-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IQE Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IRFH Typ N-Kanal 8-Pin PQFN