Infineon ISK N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 55 A 171 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
240-6379
Herst. Teile-Nr.:
ISK036N03LM5
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

ISK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

171W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

810mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOSTM 5 Leistungs-MOSFET mit 30 V, 3,6 mΩ, kleinster Formfaktor im PQFN 2x2-Gehäuse. Mit der neuen BIC OptiMOSTM 5-in-25-V- und 30-V-Produktfamilie bietet Infineon eine erstklassige Lösung für Effizienz in einem kleinen Formfaktor und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen wie drahtloses Laden, Lastschalter und DC-DC-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. Das kleine 4-mm2-PQFN-2x2-Gehäuse in Kombination mit hervorragender elektrischer Leistung trägt zur Verbesserung des Formfaktors in Endanwendungen bei, da es einen niedrigen RDSon von 3,6 mΩ bietet.

Optimiert für höchste Leistung und Leistungsdichte

100 % Avalanchegeprüft

Überlegener Wärmewiderstand für 2x2-Gehäuse

N-Kanal

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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