Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 46 A 278 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
239-8626
Herst. Teile-Nr.:
SIHB055N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie EF von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

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