Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 208 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
200-6795
Herst. Teile-Nr.:
SiHP105N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.52mm

Breite

4.65 mm

Höhe

14.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SiHP105N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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