Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 156 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
200-6819
Herst. Teile-Nr.:
SIHP186N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

14.4mm

Länge

10.52mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.65 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHP186N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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