Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6 A 33 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 239-8619
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SIHA15N80AEF-GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.35Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.35Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 6 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHA15N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-220-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine robuste Hochspannungsfähigkeit, ein kontrolliertes Gate-Verhalten und den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 850 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung
• 0.35 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Handhabung
• Eine typische Gate-Ladung von 54 nC ermöglicht ein vorhersehbares Gate-Drive-Design
• Die Gate-Bewertung von ±30 V schützt vor übermäßiger Gate-Spannung
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung
• 0.35 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Handhabung
• Eine typische Gate-Ladung von 54 nC ermöglicht ein vorhersehbares Gate-Drive-Design
• Die Gate-Bewertung von ±30 V schützt vor übermäßiger Gate-Spannung
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Hochspannungs-Leistungswandler
• Ideal für die Automobilelektronik, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllt
• Wird mit Schaltnetzteilen und Wechselrichtern verwendet
• Kann für die Front-End-Schaltung von Motorantrieben verwendet werden
• Geeignet für Hilfsstromversorgungen in rauen Umgebungen
• Ideal für die Automobilelektronik, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllt
• Wird mit Schaltnetzteilen und Wechselrichtern verwendet
• Kann für die Front-End-Schaltung von Motorantrieben verwendet werden
• Geeignet für Hilfsstromversorgungen in rauen Umgebungen
In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C für eine breite Umgebungs- und Sperrschichttoleranz.
Wie wird das Gate-Drive-Design vom Gerät beeinflusst?
Die typische Gate-Ladung von 54 nC definiert den Gate-Energiebedarf und informiert über Kompromisse zwischen Treiberstrom und Schaltgeschwindigkeit.
Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten?
Das TO-220-Gehäuse ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und bietet bequeme thermische Anschlussmöglichkeiten für die Kühlung.
Welche Polarität und welches Kanalverhalten sollten Entwickler erwarten?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus, der geeignete Bias- und Steuerungsstrategien in Schaltungsdesigns erfordert.