Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13.7 A 83 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 235-4856
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD19DP10NMATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 907,50
(ohne MwSt.)
€ 1.090,00
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 2500 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,363 | € 907,50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4856
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD19DP10NMATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 186mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -36nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 186mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -36nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.
Erhältlich in 4 verschiedenen Gehäusen
Großer Bereich
Normale Pegel- und Logikpegel-Verfügbarkeit
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Einfache Schnittstelle zur MCU
Geringe Designkomplexität
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD19DP10NMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD18DP10LMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD42DP15LMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD11DP10NMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD85P04P4L06ATMA2 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD90P03P404ATMA2 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD50P04P4L11ATMA2 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin IPD90P04P4L04ATMA2 TO-252