Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
229-1744
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR6215TRL
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

AUIRF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

295mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.73 mm

Höhe

2.39mm

Länge

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pack-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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