Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 229-1744
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR6215TRL
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | AUIRF | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 295mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.22mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie AUIRF | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 295mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.22mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pack-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.
Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
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