Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 4.836,00

(ohne MwSt.)

€ 5.802,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 07. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 1,612€ 4.836,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
229-1743
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR6215TRL
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

AUIRF

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

295mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.22mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.73 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pack-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Verwandte Links