Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 11,00

(ohne MwSt.)

€ 13,20

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 2,20€ 11,00
25 - 45€ 1,958€ 9,79
50 - 120€ 1,852€ 9,26
125 - 245€ 1,718€ 8,59
250 +€ 1,586€ 7,93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1729
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF3205ZSTRL
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

AUIRF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

Verwandte Links