Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 545 A 340 W, 15-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
229-1738
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF8739L2TR
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

545A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

AUIRF

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

375nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

40 V

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.74mm

Länge

9.15mm

Breite

7.1 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem N-Kanal in einem DirectFET-L8-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Er verfügt über eine zweiseitige Kühlung

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