Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
229-1734
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF6215STRL
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

AUIRF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in D2-Pak-Gehäuse. Er verfügt über schnelles Schalten und ist vollständig lawinengeprüft. Er ist bleifrei und hat einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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