ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
223-6205
Herst. Teile-Nr.:
QH8JB5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.41Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.85mm

Breite

2.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm-MOSFET für kleines Signal hat den Typ TSMT8. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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