ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
223-6204
Herst. Teile-Nr.:
QH8JB5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Kabelkanaltyp

Typ P

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.5 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

TSMT

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

-1.2 V

Höhe

850 μm

Länge

3.3 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.41 Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17.3 nC

Breite

2.8 mm

The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.

Low on - resistance

Small surface mount package

Pb-free plating, RoHS compliant

Halogen free

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