ROHM N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

RS Best.-Nr.:: 168-2133
Herst. Teile-Nr.:: QS6K1TR
Hersteller:: ROHM

ROHM N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

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RS Best.-Nr.:: 168-2133
Herst. Teile-Nr.:: QS6K1TR
Hersteller:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TSMT-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	238 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Gate-Schwellenspannung min.	0.5V
Verlustleistung max.	1,25 W
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Länge	3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,4 nC bei 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	1.8mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.95mm

ROHM N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

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