DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 0.4 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
213-9186
Herst. Teile-Nr.:
DMN3190LDWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN3190LDWQ

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.19Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Länge

2.15mm

Breite

2.1 mm

Höhe

0.95mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET der DiodesZetex DBN3190LDWQ-Serie wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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