Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-4713
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R600P7SAKMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

43.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.38 mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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