Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
217-2580
Herst. Teile-Nr.:
IPS70R360P7SAKMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

2.4 mm

Höhe

9.82mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

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