Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 5.7 A 17.6 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 220-7444
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- 220-7444
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Breite | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Breite 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen im Verbrauchermarkt wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen, schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.
Extrem niedrige Verluste durch geringe FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidationa cc.JEDEC-Standard
Kostengünstige Technologie
Niedrigere Temperatur
Hohe ES-Robustheit
Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen durch höhere Effizienz im Gainsat
Enableshighpowerdensdesignsandsmallformfaktoren
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