Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-4709
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Durchlassspannung Vf

900mV

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

22.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.38mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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