Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-251

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7439
Herst. Teile-Nr.:
IPS60R1K0CEAKMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

61W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Cool MOS CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Super-Junction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V Cool MOS CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Geeignet für hartes und weiches Schalten

Leicht steuerbares Schaltverhalten

Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs

Weniger Aufwand beim Design

Einfach zu verwenden

Verwandte Links

Recently viewed