DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,397 | € 29,78 |
| 150 - 450 | € 0,342 | € 25,65 |
| 525 - 975 | € 0,333 | € 24,98 |
| 1050 + | € 0,325 | € 24,38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.3mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.3mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte