DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-2882
Herst. Teile-Nr.:
DMT69M5LH3
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28.4nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.3 mm

Höhe

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

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