DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-2882
Herst. Teile-Nr.:
DMT69M5LH3
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.1mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

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