DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 46.3 A 3.7 W, 4-Pin DMTH10H025SK3-13 TO-252

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RS Best.-Nr.:
182-7372
Herst. Teile-Nr.:
DMTH10H025SK3-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.4nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

3.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Höhe

2.26mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) sowie für schnelle Schaltungen entwickelt und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – erlaubt zuverlässigere

und robustere Endanwendungen

Niedriger RDS(ON) – minimiert Leistungsverluste

Niedrige QG – minimiert Schaltverluste

Bleifreie Oberfläche

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

Hinterleuchtung.

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