DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 320 mW, 3-Pin X2-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2860
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UFO-7B
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
€ 1,40
(ohne MwSt.)
€ 1,70
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,028 | € 1,40 |
| 500 - 950 | € 0,027 | € 1,35 |
| 1000 - 2450 | € 0,027 | € 1,35 |
| 2500 - 4950 | € 0,026 | € 1,30 |
| 5000 + | € 0,025 | € 1,25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2860
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UFO-7B
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X2-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Breite | 0.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 0.65mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X2-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.4mm | ||
Breite 0.45 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 0.65mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Flaches Gehäuseprofil
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN31D5UFO Typ N-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN2991UFO Typ N-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
