DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 500 mA 360 mW, 3-Pin X2-DFN

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RS Best.-Nr.:
165-8375
Herst. Teile-Nr.:
DMN1260UFA-7B
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X2-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.96nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.85 mm

Höhe

0.35mm

Länge

0.65mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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