DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin X2-DFN

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RS Best.-Nr.:
770-5128
Herst. Teile-Nr.:
DMN2300UFB4-7B
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X2-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.05mm

Breite

0.65 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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