DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 407 mA 500 mW, 3-Pin X1-DFN

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RS Best.-Nr.:
182-7128
Herst. Teile-Nr.:
DMN62D1LFB-7B
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

407mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X1-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.45nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.67 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.48mm

Länge

1.07mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

ESD-geschützt

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät

Anwendung

Lastschalter

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