DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7512
Herst. Teile-Nr.:
DMN2451UFB4-7B
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X2-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.05mm

Höhe

0.4mm

Breite

0.65 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN1006-3-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie hat eine Leiterplattenabmessung von 4 mm^2. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate

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