DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 65 V / 192 mA 1.21 W, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Hersteller:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
€ 6,50
(ohne MwSt.)
€ 8,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 9 700 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 + | € 0,13 | € 6,50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 65V | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.21W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.08mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.68 mm | |
| Höhe | 0.53mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 65V | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.21W | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.08mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.68 mm | ||
Höhe 0.53mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN1150UFB-7B X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN62D4LFB-7B X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN62D1LFB-7B X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin DMP21D6UFD-7 X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin DMP2900UFB-7B X1-DFN1006-3
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin DMP32D9UFO-7B X2-DFN
