DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 65 V / 192 mA 1.21 W, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2863
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Hersteller:
- DiodesZetex
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 222-2863
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 65V | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.21W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.08mm | |
| Breite | 0.68 mm | |
| Höhe | 0.53mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 65V | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.21W | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.08mm | ||
Breite 0.68 mm | ||
Höhe 0.53mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN1006-3
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex 0.2A SBR Oberfläche Diode Avalance Einfach 2-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
