DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 407 mA 1.2 W, 3-Pin X1-DFN

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RS Best.-Nr.:
222-2846
Herst. Teile-Nr.:
DMN62D4LFB-7B
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

407mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X1-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.04 mm

Höhe

0.22mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

0.64mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

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