Infineon CoolMOS P7 SJ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 2 A 22 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 219-6015
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
€ 8,77
(ohne MwSt.)
€ 10,53
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 320 Einheit(en) mit Versand ab 20. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | € 0,585 | € 8,78 |
| 75 - 135 | € 0,555 | € 8,33 |
| 150 - 360 | € 0,532 | € 7,98 |
| 375 - 735 | € 0,512 | € 7,68 |
| 750 + | € 0,499 | € 7,49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-6015
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 370mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 370mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden, und die neueste 950-V-CoolMOS TM P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Mit 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900V CoolMOS TM C3 bietet die Serie 950V CoolMOS TM P7 eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Serie 950V CoolMOS TM P7 über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. CoolMOS TM P7 wurde mit klassenbesten VGS(th) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Einfahren und Design erleichtert.
Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P7 SJ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-251