Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
214-9110
Herst. Teile-Nr.:
IPS80R900P7AKMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.35 mm

Länge

6.7mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die neueste 800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Art von Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18-jährigen bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt. Diese sind einfach zu steuern und parallel, was Designs mit höherer Leistungsdichte, Stücklisteneinsparungen und geringere Montagekosten ermöglicht.

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