STMicroelectronics STL260N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 219-4230
- Herst. Teile-Nr.:
- STL260N4LF7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 15,66
(ohne MwSt.)
€ 18,79
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,132 | € 15,66 |
| 50 - 120 | € 2,854 | € 14,27 |
| 125 + | € 2,376 | € 11,88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-4230
- Herst. Teile-Nr.:
- STL260N4LF7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | STL260N | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie STL260N | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench Gate-Struktur, die einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bewirkt, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.
Zu den niedrigsten RDS(on) auf dem Markt
Ausgezeichnetes Schaumstoff (Leistungszahl)
Niedriges Crss/Ciss Verhältnis für elektromagnetische Störfestigkeit
Hohe Lawinenbeständigkeit