STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 350 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
330-579
Herst. Teile-Nr.:
STL325N4F8AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

STL

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.85mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trench-Gate-Struktur. Er bietet eine hochmoderne Leistungskennzahl mit sehr geringem Durchlasswiderstand, reduzierten internen Kapazitäten und Gate-Ladung, was ein schnelleres und effizienteres Schalten ermöglicht.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige Gate-Ladung Qg

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