STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 373 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT (3,3 x 3,3)
- RS Best.-Nr.:
- 330-473
- Herst. Teile-Nr.:
- STL130N4LF8
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 1,09
(ohne MwSt.)
€ 1,31
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 3 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,09 |
| 10 - 99 | € 0,98 |
| 100 - 499 | € 0,91 |
| 500 - 999 | € 0,84 |
| 1000 + | € 0,76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 330-473
- Herst. Teile-Nr.:
- STL130N4LF8
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 373A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (3,3 x 3,3) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 373A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (3,3 x 3,3) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Die 40-V- und 100-V-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics bieten eine höhere Leistungsdichte und ermöglichen die Verwendung kleinerer Gehäuse für ein kompaktes Systemdesign, ohne die elektrische Leistung zu beeinträchtigen. Sie bieten eine verbesserte Störfestigkeit durch verbesserte Filterung von Überschwingern der Ausgangsspannung.
Optimierte Gate-Ladung für schnellere Kommutierungsgeschwindigkeiten
Höhere Immunität gegen unerwünschtes Einschalten
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 2.2 A 22 W3 x 3,3) HV
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin PowerFLAT
