STMicroelectronics STL N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 158 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
330-476
Herst. Teile-Nr.:
STL165N10F8AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

158A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STL

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.2mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trench-Gate-Struktur. Er bietet eine hochmoderne Leistungskennzahl mit sehr geringem Durchlasswiderstand, reduzierten internen Kapazitäten und Gate-Ladung, was ein schnelleres und effizienteres Schalten ermöglicht.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige Gate-Ladung Qg

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