Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 9,56

(ohne MwSt.)

€ 11,47

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 225 Einheit(en) mit Versand ab 27. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 1,912€ 9,56
25 - 45€ 1,684€ 8,42
50 - 120€ 1,568€ 7,84
125 - 245€ 1,452€ 7,26
250 +€ 1,358€ 6,79

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3124
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7730TRL7PP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

269A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

428nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Integriert mit 7-poligem D2PAK-Gehäuse (TO-263 7-polig).

Bleifrei, RoHS-konform

Verwandte Links