Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 23,09

(ohne MwSt.)

€ 27,71

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 095 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 4,618€ 23,09
25 - 45€ 4,064€ 20,32
50 - 120€ 3,788€ 18,94
125 - 245€ 3,506€ 17,53
250 +€ 3,278€ 16,39

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3124
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7730TRL7PP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

269A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

428nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Integriert mit 7-poligem D2PAK-Gehäuse (TO-263 7-polig).

Bleifrei, RoHS-konform

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.