Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
215-2607
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

EIA-481, EIA-541

Automobilstandard

Nein

Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale Ableitquellspannung von 55 V und ist ein einzelner N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäusetyp. Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D-Pack wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Bleifrei

Vollständig lawinengeprüft

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