Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5841
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-537
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2407TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-537
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- IRFR2407TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 85V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 85V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Industriestandard-Footprints zur Vereinfachung des Designs erhältlich.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage
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