Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-5841
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-537
Herst. Teile-Nr.:
IRFR2407TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

85V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Industriestandard-Footprints zur Vereinfachung des Designs erhältlich.

Planare Zellstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage

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