Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9046
Herst. Teile-Nr.:
IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

22.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Es hat ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

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