Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 214-9046
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 214-9046
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Serie	CoolMOS P7
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.7nC
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Maximale Verlustleistung Pd	22.7W
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Serie CoolMOS P7
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Maximale Verlustleistung Pd 22.7W
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R1K4P7SAUMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Antriebsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und bietet N-Kanal-Enhancement-Modus-Schaltfunktionen, die für oberflächenmontierte Baugruppen in anspruchsvollen elektrischen Systemen geeignet sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 700 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger RDS(on) von 1,4 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 22,7 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• 4.7 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung
• Die Gate-Bewertung von 16 V ermöglicht einen erheblichen Platzbedarf für den Gate-Treiber

Anwendungsbereich

• Geeignet für SMPS-Primärschaltstufen
• Ideal für motorbetriebene Halbbrückenschalter
• Verwendung mit industriellen Hochspannungsnetzteilen
• Kann für die Schaltleistungsregelung verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungen

Welcher Temperaturbereich ist für den Betrieb akzeptabel?

Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt.

Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.

Wie viele Stifte sind für den Leiterplattenanschluss verfügbar?

Es gibt drei elektrische Pins für den Standard-MOSFET-Anschluss.

Wie hoch ist die typische Durchlassspannung bei der Leitung?

Die Durchlassspannung unter den angegebenen Bedingungen beträgt 0,9 V.

Welche Kanalcharakteristiken beeinflussen das Verhalten des Geräts?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät mit spezifizierten Gate- und Ablassgrenzen.