Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-9009
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB024N10N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPB024N10N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 100-V-Leistungs-MOSFET wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen entwickelt. Das Gerät hat einen niedrigeren RDS(on) von 22 % im Vergleich zu ähnlichen Geräten, einer der größten Mitwirkenden an diesem branchenführenden FOM ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand, der ein Höchstmaß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
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