Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 177 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3025
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N08N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3025
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N08N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 177A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 177A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS 5-Serie. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Pb-frei Beschichtung