Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 177 A, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3025
Herst. Teile-Nr.:
IPB017N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

177A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS 5-Serie. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

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