Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 49 A 50 W, 8-Pin SuperSO

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4328
Herst. Teile-Nr.:
BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

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