Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 8,76

(ohne MwSt.)

€ 10,52

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 736 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 4,38€ 8,76
20 - 48€ 3,85€ 7,70
50 - 98€ 3,635€ 7,27
100 - 198€ 3,37€ 6,74
200 +€ 3,11€ 6,22

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7380
Herst. Teile-Nr.:
IPB033N10N5LFATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS-Linear-FET ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der Fähigkeit im linearen Modus zu vermeiden - Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten MOSFET. Er bietet den neuesten R DS(on) eines Trench-MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)

Hoher max. Impulsstrom

Hoher kontinuierlicher Impulsstrom

Robuster linearer Betrieb

Geringe Leitungsverluste

Höherer Einschaltstrom ermöglicht schnelleres Hochfahren und kürzere Ausfallzeiten Zeit

Verwandte Links